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igbt模塊特點(diǎn)原理

日期:2024-07-20 06:07
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摘要:
igbt模塊特點(diǎn)原理
  動(dòng)態(tài)特性又稱(chēng)開(kāi)關(guān)特性,IGBT的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分:一是開(kāi)關(guān)速度,主要指標是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間;另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。
  igbt模塊的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導通態(tài)時(shí),由于它的PNP 晶體管為寬基區晶體管,所以其B 值極低。盡管等效電路為達林頓結構,但流過(guò)MOSFET 的電流成為IGBT 總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示::
  Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
  式中Uj1 —— JI 結的正向電壓,其值為0.7 ~1V ;Udr ——擴展電阻Rdr 上的壓降;Roh ——溝道電阻。
  通態(tài)電流Ids 可用下式表示:
  Ids=(1+Bpnp)Imos
  式中Imos ——流過(guò)MOSFET 的電流。
  由于N+ 區存在電導調制效應,所以IGBT 的通態(tài)壓降小,耐壓1000V的IGBT 通態(tài)壓降為2 ~ 3V 。IGBT 處于斷態(tài)時(shí),只有很小的泄漏電流存在。
  igbt模塊在開(kāi)通過(guò)程中,大部分時(shí)間是作為MOSFET 來(lái)運行的,只是在漏源電壓Uds 下降過(guò)程后期, PNP 晶體管由放大區至飽和,又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開(kāi)通延遲時(shí)間,tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。

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