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保管igbt模塊的注意事項

日期:2024-07-18 07:19
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摘要:
     IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。其相互關(guān)系見(jiàn)下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時(shí),所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí),開(kāi)關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí),由于開(kāi)關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時(shí)應該降等使用。

    一般保存IGBT模塊的場(chǎng)所,應保持常溫常濕狀態(tài),不應偏離太大。常溫的規定為5~35℃ ,常濕的規定在45~75%左右。在冬天特別干燥的地區,需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合; 在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方; 保管時(shí),須注意不要在IGBT模塊上堆放重物; 裝IGBT模塊的容器,應選用不帶靜電的容器。

    IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性,使它得到了快速的發(fā)展和普及,已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能,了解選擇及使用時(shí)的注意事項對實(shí)際中的應用是十分必要的。

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