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igbt模塊使用中的注意事項

日期:2024-07-20 06:06
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摘要:
    在igbt模塊使用過(guò)程中,可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實(shí)現對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。

    1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時(shí),MOSFET內溝道消失,IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。

    2)當集-射極電壓UCE<0時(shí),J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

    3)當集-射極電壓UCE>0時(shí),分兩種情況:

    若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

    若柵-射極電壓UGE>Uth ,柵極溝道形成,IGBT呈導通狀態(tài)(正常工作)。此時(shí),空穴從P+區注入到N基區進(jìn)行電導調制,減  少N基區電阻RN的值,使IGBT通態(tài)壓降降低。

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